8 800 1000 321 - контакт центр

Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM - Лента новостей


Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM

22.06.2016

Компания STMicroelectronics, один из мировых лидеров в производстве компонентов на карбиде кремния(SiC), продолжает развитие линейки высоковольтных транзисторов см. новость от 08.05.16. Основное преи...
Читать полностью: Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM;

сообщение об ошибке