Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM

Компания STMicroelectronics, один из мировых лидеров в производстве компонентов на карбиде кремния(SiC), продолжает развитие линейки высоковольтных транзисторов см. новость от 08.05.16. Основное преи...
Читать полностью: Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM;