8 800 1000 321 - контакт центр

Новое поступление транзисторов производства Renesas - Лента новостей


Новое поступление транзисторов производства Renesas

18.05.2017

Японский производитель полупроводниковых компонентов, Renesas Technology, была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi Ltd и Mitsubishi Electric. Основную операционную деятельность компания начала в 2010 году, после слияния с NEC Electronics, образовав ныне известную всем Renesas Electronics. Штаб-квартира компании расположена в г. Токио (Япония).

 

 

Renesas Electronics - ведущий мировой поставщик микроконтроллеров и передовых полупроводниковых решений, однокристальных систем и широкого спектра аналоговых устройств и силовых компонентов.

Renesas выпускает на глобальный рынок следующие электронные приборы:

  • интегральные микросхемы большой степени интеграции (микроконтроллеры, микропроцессоры, микросхемы стандартной логики)
  • интегральные микросхемы со смешанными сигналами (аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, быстродействующие цифровые сигнальные процессоры)
  • дискретные компоненты (диоды, транзисторы, тиристоры)
  • микросхемы памяти (Flash, SRAM)
  • интегральные микросхемы-драйверы дисплеев
  • сложные полупроводниковые приборы (оптопары, оптотвердотельные реле)

 

Высокое качество готовой продукции гарантируется производством на фабриках (в Сингапуре, Малайзии, Китае, Японии), сертифицированных по стандарту ISO9001.

Основные сферы применения:

  • автомобильная промышленность
  • контрольно-измерительные приборы
  • беспроводные пульты
  • медицинская, компьютерная, офисная и бытовая техника
  • промышленное и телекоммуникационное оборудование
  • системы управления двигателями
  • источники питания
  • системы вентиляции и кондиционирования
  • системы освещения

 

 

Последнее поступление продукции Renesas Electronics на склад "Промэлектроники":

  Наименование   Примечание Корпус Производитель Оптовая цена, руб. Розн. цена, руб. Всего Розн. маг. Краткое описание
R2A20292BFT   128-TQFP (14x14) Renesas 308.26 руб. 393.20 руб. 36 36 контроллер ТВ plasma
2SJ162   TO3P Renesas 276.95 руб. 354.76 руб. 335 335 Полевой транзистор, P-канальный, 160 В, 7 А, 100 Вт
2SK1058   TO3P Renesas 352.15 руб. 444.24 руб. - - Полевой транзистор, N-канальный, 160 В, 7 А, 100 Вт (комплементарная пара 2SJ162)
RJH60F5DPQ   TO-247 Renesas 178.69 руб. 232.64 руб. 622 272 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
2SJ352   TO3P Renesas 533.84 руб. 667.71 руб. 29 29 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 8 А, 100 Вт (комплементарная пара 2SK2221)
RJP6065DPP форм.выводы, укор. TO-220F Renesas 63.15 руб. 86.88 руб. 48 48 Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
RJH30H1DPP   TO-220F Renesas 90.78 руб. 121.93 руб. 106 106 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
RJP3065DPP форм.выводы TO-220F Renesas 81.20 руб. 110.05 руб. 56 56 Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
RJH3077DPK   TO3P Renesas 212.26 руб. 274.14 руб. 36 36 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
RJK6015DPK   TO3P Renesas 282.11 руб. 360.71 руб. 20 20 Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт
RJP30E3DPP Обновлен дата код. Проверено TO-220F Renesas 46.94 руб. 65.87 руб. 67 67 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 40 А, 30 Вт
RJP43F4ADPP   TO-220F Renesas 99.69 руб. 133.60 руб. 42 42 Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А

Продукцию компании  Вы можете заказать, сделав заявку:

  • через Интернет-магазин на сайте www.promelec.ru компании "Промэлектроника";
  • по электронному почтовому адресу order@promelec.ru;
  • с помощью мобильного приложения Promelec;
  • по факсу (343) 245-33-28;
  • связавшись с нами по телефону: (343) 372-92-27;
  • по единому телефону отдела продаж: 8 800 1000 321.

Последние новости - одной лентой: 


сообщение об ошибке