8 800 1000 321 - контакт центр

Новое поступление транзисторов производства Renesas - Лента новостей


Новое поступление транзисторов производства Renesas

18.05.2017

Японский производитель полупроводниковых компонентов, Renesas Technology, была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi Ltd и Mitsubishi Electric. Основную операционную деятельность компания начала в 2010 году, после слияния с NEC Electronics, образовав ныне известную всем Renesas Electronics. Штаб-квартира компании расположена в г. Токио (Япония).

 

 

Renesas Electronics - ведущий мировой поставщик микроконтроллеров и передовых полупроводниковых решений, однокристальных систем и широкого спектра аналоговых устройств и силовых компонентов.

Renesas выпускает на глобальный рынок следующие электронные приборы:

  • интегральные микросхемы большой степени интеграции (микроконтроллеры, микропроцессоры, микросхемы стандартной логики)
  • интегральные микросхемы со смешанными сигналами (аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, быстродействующие цифровые сигнальные процессоры)
  • дискретные компоненты (диоды, транзисторы, тиристоры)
  • микросхемы памяти (Flash, SRAM)
  • интегральные микросхемы-драйверы дисплеев
  • сложные полупроводниковые приборы (оптопары, оптотвердотельные реле)

 

Высокое качество готовой продукции гарантируется производством на фабриках (в Сингапуре, Малайзии, Китае, Японии), сертифицированных по стандарту ISO9001.

Основные сферы применения:

  • автомобильная промышленность
  • контрольно-измерительные приборы
  • беспроводные пульты
  • медицинская, компьютерная, офисная и бытовая техника
  • промышленное и телекоммуникационное оборудование
  • системы управления двигателями
  • источники питания
  • системы вентиляции и кондиционирования
  • системы освещения

 

 

Последнее поступление продукции Renesas Electronics на склад "Промэлектроники":

  Наименование   Примечание Корпус Производитель Оптовая цена, руб. Розн. цена, руб. Всего Розн. маг. Краткое описание
R2A20292BFT   TQFP128 Renesas 355.87 руб. 445.18 руб. 37 37 контроллер ТВ plasma
2SJ162   TO-3P Renesas 320.66 руб. 402.55 руб. 376 376 Полевой транзистор, P-канальный, 160 В, 7 А, 100 Вт
2SK1058   TO-3P Renesas 356.11 руб. 450.02 руб. - - Полевой транзистор, N-канальный, 160 В, 7 А, 100 Вт (комплементарная пара 2SJ162)
RJH60F5DPQ   TO-247-3 Renesas 177.66 руб. 230.11 руб. 1109 88 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
2SJ352   TO-3P Renesas 540.16 руб. 666.98 руб. 35 35 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 8 А, 100 Вт (комплементарная пара 2SK2221)
RJP6065DPP форм.выводы, укор. TO-220FP Renesas 72.79 руб. 97.59 руб. 88 88 Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
RJH30H1DPP   TO-220FP Renesas 91.89 руб. 121.66 руб. 215 215 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
RJP63F3ADPP   TO-220FP Renesas 87.09 руб. 115.65 руб. 198 198 Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
RJP3065DPP форм.выводы TO-220FP Renesas 90.90 руб. 120.43 руб. 56 56 Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
RJH3077DPK   TO-3P Renesas 214.83 руб. 273.66 руб. 82 82 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
RJK6015DPK   TO-3P Renesas 280.97 руб. 358.11 руб. 20 20 Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт
RJP30E3DPP Обновлен дата код. Проверено TO-220FP Renesas 79.88 руб. 106.25 руб. 103 103 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 40 А, 30 Вт
RJP43F4ADPP форм. сред. вывод TO-220FP Renesas 102.07 руб. 134.41 руб. 68 68 Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А

Продукцию компании  Вы можете заказать, сделав заявку:

  • через Интернет-магазин на сайте www.promelec.ru компании "Промэлектроника";
  • по электронному почтовому адресу order@promelec.ru;
  • с помощью мобильного приложения Promelec;
  • по факсу (343) 245-33-28;
  • связавшись с нами по телефону: (343) 372-92-27;
  • по единому телефону отдела продаж: 8 800 1000 321.

Последние новости - одной лентой: 


сообщение об ошибке