8 800 1000 321 - контакт центр

Новое поступление продукции Galaxy - Лента новостей


Новое поступление продукции Galaxy

29.05.2017

Galaxy Semiconductor Co., Ltd. - компания, расположенная в Китае в округе Чанжоу и имеющая более чем 30-летний опыт производства полупроводниковых компонентов. Galaxy осуществляет изготовление кристаллов, корпусирование, тестирование и упаковку, что позволяет выпускать не только стандартные компоненты, но и по требованиям заказчика. Производственные площади компании занимают около 45000 кв.м., емкость производства - до 12 млрд. устройств в год. В 2002 году производство компании было сертифицировано по стандарту ISO9001-2000, а в 2007 - по стандарту TS16949.

 

Среди новых поступлений продукции Galaxy - диоды Шоттки различных типов.

 

 

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества - сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе - лучшими частотными свойствами.

Однако ничто нигде не дается бесплатно. Здесь за улучшение одних свойств приходится платить изменением других характеристик. Чем больше таких зависимостей, тем больше оказывается необходимость осознанного выбора элемента под конкретное применение. Не являются исключением из этого правила и диоды Шоттки.

 

В конструкции обычных диодов всего три особенности, и они мало влияют друг на друга - площадь p-n перехода, уровень легирования (удельное сопротивление) высокоомной области и время жизни неосновных носителей. Прямое падение напряжения в установившемся режиме при заданном токе зависит, в основном, от температуры и площади p-n перехода, и то очень слабо: от площади - по логарифмическому закону (минус ~20 мВ на удвоение площади/снижение тока вдвое), от температуры - в пределах +1…-2 мВ на градус. Удельное сопротивление материала высокоомной области у обычных диодов, благодаря эффекту модуляции проводимости, почти не влияет на прямое падение напряжения. Время жизни неосновных носителей определяет время обратного восстановления диода (и косвенно - его ток утечки).

 

Для диодов Шоттки время жизни неосновных носителей не имеет прямого влияния на характеристики диода в рабочих режимах, но зато добавляется две других особенности конструкции. Это выбор величины потенциального барьера (то есть, фактически, порогового напряжения - и тока утечки) и необходимость обеспечения защиты от перенапряжений (незащищенный переход Шоттки, в отличие от обычного p-n перехода, практически всегда необратимо выходит из строя при пробое обратным напряжением). Именно поэтому внутри подавляющего большинства диодов Шоттки есть еще и параллельно включенный обычный кремниевый p-n переход. Кроме того, у диодов Шоттки есть сильная связь между удельным сопротивлением высокоомной области и прямым падением напряжения при больших токах (из-за отсутствия механизма модуляции проводимости). Отсутствие же эффекта модуляции проводимости уменьшает устойчивость диодов к ударному току, что вынуждает увеличивать площадь перехода (снижать плотность тока). Из-за этого емкость диодов Шоттки, отнесенная к единице номинального тока, как правило, выше, чем у обычных диодов. 

 

Наглядный пример - UF4007 имеют емкость около 10…20 пФ, 1N5817 - около 50…70 пФ (при обратном напряжении 5 В). По той причине диоды Шоттки изготавливают с более частым рядом по величине допустимого обратного напряжения - чтобы не вводить излишний запас, увеличивающий прямое сопротивление диодов.

Даже из этого упрощенного описания видно, что в конструкции диодов Шоттки намного больше вариантов для выбора компромиссов, чем в "обычных" диодах. Именно поэтому разнообразие типов диодов Шоттки столь велико. И для осмысленного выбора лучших (для требуемого применения) вариантов нужно учитывать большее число параметров, чем при выборе "обычных" диодов. 

 

При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения:

  • Относительно низкочастотную коммутацию (суммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки
  • Применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.

 

Диоды, оптимизированные для первой группы применений - это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения. 

 

Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки - их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник). 

 

Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки - попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. 
Во-первых, это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. Это проявляется появлением накопления заряда выключения, что может вызывать большие импульсные токи/напряжения.

Во-вторых, нужно помнить, что нагрев диодов Шоттки почти не влияет на прямое падение напряжения при больших токах, но вызывает резкий рост токов утечек. Последнее опасно проявлением эффекта саморазогрева обратными токами. Увеличение размера радиатора, необходимое для предотвращения этого риска, часто в итоге обходится дороже, чем использование диодов на больший ток, имеющих меньшие статические потери. 

 

Новое поступление продукции производства Galaxy Semiconductor Co., Ltd. на склад "Промэлектроники":

  Наименование   Примечание Корпус Производитель Оптовая цена, руб. Розн. цена, руб. Всего Розн. маг. Краткое описание
1.5KE100A 1500W 100V однонапр. > DO-201 / DO-27S Galaxy ME 9.18 руб. 15.23 руб. 1034 133 Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=100В однонаправленный
1.5KE24A 1500W 24V однонапр. DO-201 Galaxy ME 12.34 руб. 19.63 руб. 1273 123 Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=24В однонаправленный
1A7 Диод 1000V 1A R-1 Galaxy ME 0.67 руб. 1.96 руб. 29720 870 Диод выпрямительный 1000В 1A
1N4007   DO-41 Galaxy ME 0.72 руб. 2.06 руб. 161136 3592 Диод выпрямительный 1000В 1А
1N4937 Диод 600V 1A 150ns Fast DO-41 Galaxy ME 0.77 руб. 2.18 руб. 26163 585 Диод выпрямительный 600В 1А 150нс
1N5408 Диод 1000V 3A DO-201 Galaxy ME 2.61 руб. 5.53 руб. - - Диод выпрямительный 1000В 3A
1N5817 Шоттки 20V 1A 0.6V DO-41 Galaxy ME 1.20 руб. 3.07 руб. 18632 470 Диод Шоттки 20V 1A 0.6V
B2S Мост 0.5A, 200V MBS Galaxy ME 5.22 руб. 9.54 руб. - - Диодный мост 0.5А 200В
B8S Мост 0.5А, 800V MBS Galaxy ME 5.09 руб. 9.35 руб. - - Диодный мост 0.5А 800В
BAS16   SOT-23 Galaxy ME 0.96 руб. 2.59 руб. 4805 122 Диод выпрямительный 100В 0.215А
BAS70-05 Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод SOT-23 Galaxy ME 1.05 руб. 2.78 руб. 9445 198 Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
BAT54S Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед. SOT-23 Galaxy ME 0.53 руб. 1.59 руб. 409 409 Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
BAV199 Диод х2 0.2A 70V послед SOT-23 Galaxy ME 1.06 руб. 2.75 руб. 6731 3251 Диод х2 70В/200мА последовательно
BAV99 Диод х2 0.215A 75V послед. SOT-23 Galaxy ME 1.01 руб. 2.70 руб. 39846 2600 Диод х2 75В/215мА последовательно
BAW56 Диод х2 0.2A 70V общий анод SOT-23 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 867 867 Диод х2 70В/200 мА общий анод
BZX55C10 Стаб 0.5W 10V DO-35 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 4047 173 Стабилитрон 0.5Вт 10В
BZX55C12 Стаб 0.5W 12V DO-35 Galaxy ME 1.01 руб. 2.70 руб. 4220 474 Стабилитрон 0.5Вт 12В
BZX55C18 Стаб 0.5W 18V DO-35 Galaxy ME 1.09 руб. 2.85 руб. 9410 335 Стабилитрон 0.5Вт 18В
BZX55C20 Стаб 0.5W 20V DO-35 Galaxy ME 0.96 руб. 2.58 руб. 4900 367 Стабилитрон 0.5Вт 20В
BZX55C3V3 Стаб 0.5W 3.3V DO-35 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 4516 554 Стабилитрон 0.5Вт 3.3В
BZX55C3V9 Стаб 0.5W 3.9V DO-35 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 4893 293 Стабилитрон 0.5Вт 3.9В
BZX55C4V7 Стаб 0.5W 4.7V DO-35 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 3319 557 Стабилитрон 0.5Вт 4.7В
BZX55C8V2 Стаб 0.5W 8.2V DO-35 Galaxy ME 1.05 руб. 2.72 руб. 5161 384 Стабилитрон 0.5Вт 8.2В
BZX55C9V1 Стаб 0.5W 9.1V DO-35 Galaxy ME 0.95 руб. 2.58 руб. 2082 271 Стабилитрон 0.5Вт 9.1В
BZX84C10 Стаб 0.3W 10V SOT-23 Galaxy ME 1.06 руб. 2.80 руб. 1486 678 Стабилитрон 0.3Вт 10В
BZX84C24 Стаб 0.3W 24V SOT-23 Galaxy ME 1.07 руб. 2.76 руб. 5808 336 Стабилитрон 0.3Вт 24В
BZX84C2V4 Стаб 0.3W 2.4V SOT-23 Galaxy ME 1.07 руб. 2.82 руб. 296 41 Стабилитрон 0.3Вт 2.4В
BZX84C2V7 Стаб 0.3W 2.7V SOT-23 Galaxy ME 1.07 руб. 2.82 руб. 3669 126 Стабилитрон 0.3Вт 2.7В
FR207 Диод 1000V 2A 500ns Fast DO-15 Galaxy ME 1.42 руб. 3.50 руб. 31648 488 Диод выпрямительный 1000В 2А 500нс
GS1M   SMA Galaxy ME 1.28 руб. 3.21 руб. 12205 187 Диод выпрямительный 1000В 1А
HER308 Диод 1000V 3A 75ns высоко-эффективн. DO-201 Galaxy ME 4.73 руб. 8.81 руб. 13231 352 Диод выпрямительный 1000В 3А 75нс
KBPC1008 Мост 10A 800V KBPC-8 Galaxy ME 25.08 руб. 36.87 руб. 388 42 Диодный мост 10А 800В
KBPC1510 Мост 15A,1000V KBPC Galaxy ME 61.62 руб. 84.12 руб. 777 147 Диодный мост 15А 1000В
KBPC3510W Мост 35A,1000V KBPC-W Galaxy ME 59.03 руб. 80.76 руб. 315 89 Диодный мост 35А 1000В
MBR10150CT Шоттки х2 150V 2x5A 0.85V общ. катод TO-220 Galaxy ME 15.18 руб. 23.53 руб. 599 53 Диод Шоттки x2 150V 2x5A 0.85V общ. катод
MBR15100CT Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод TO-220 Galaxy ME 20.73 руб. 31.06 руб. 155 18 Диод Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод
MBR2060CT Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод TO-220 Galaxy ME 22.94 руб. 34.01 руб. - - Диод Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод
MBRX160 Шоттки 60V 1А 0.72V SOD123FL Galaxy ME 2.36 руб. 5.12 руб. 848 98 Диод Шоттки 60V 1А 0.72V
MMBTA92   SOT-23 Galaxy ME 1.25 руб. 3.17 руб. 4456 60 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
MURS360 Диод 600V 3A 35ns UltraFast SMC Galaxy ME 5.86 руб. 10.33 руб. 2625 75 Диод выпрямительный 600В 3А 35нс
S1M Диод 1000V 1A SMA Galaxy ME 1.26 руб. 3.18 руб. 50721 866 Диод выпрямительный 1000В 1А
SF18 Диод 600V 1A 35ns SuperFast DO-41 Galaxy ME 2.34 руб. 5.10 руб. 10311 311 Диод выпрямительный 600В 1А 35нс
SF36 Диод 400V 3А 35нс SuperFast DO-201AD Galaxy ME 4.29 руб. 8.16 руб. 36 36 Диод выпрямительный 400В 3А 35нс
SF56 Диод 400V 5А 35нс SuperFast DO-201AD / DO-27 Galaxy ME 7.89 руб. 13.40 руб. 1984 317 Диод выпрямительный 400В 5А 35нс
SR8100 Шоттки 100V 8А 0.85V TO-220AC Galaxy ME 16.59 руб. 25.46 руб. 63 63 Диод Шоттки 100V 8А 0.85V
SS24 Шоттки 40V 2А 0.5V SMB Galaxy ME 3.71 руб. 7.27 руб. 6082 490 Диод Шоттки 40V 2А 0.5V
SS26 Шоттки 60V 2А 0.63V SMB Galaxy ME 3.93 руб. 7.60 руб. 6609 124 Диод Шоттки 60V 2А 0.63V
SS36 Шоттки 60V 3А 0.7V SMC Galaxy ME 6.64 руб. 11.53 руб. 2466 77 Диод Шоттки 60V 3А 0.7V
UF4007 Диод 1000V 1A UltraFast DO-41 Galaxy ME 1.29 руб. 2.79 руб. 15500 457 Диод выпрямительный 1000В 1А
US1G Диод 400V 1A 50ns UltraFast SMA Galaxy ME 2.93 руб. 6.05 руб. 36152 551 Диод выпрямительный 400В 1А 50нс
ZMM5235B (ZMM55C-6V8) Стаб 0.5W 6.8V SOD-80/MiniMelf Galaxy ME 1.47 руб. 3.58 руб. 5059 294 Стабилитрон 0.5Вт 6.8В
ZMM5252B (ZMM55C-24V) Стаб 0.5W 24V SOD-80/MiniMelf Galaxy ME 1.47 руб. 3.51 руб. 4174 307 Стабилитрон 0.5Вт 24В

Продукцию компании  Вы можете заказать, сделав заявку:

  • через Интернет-магазин на сайте www.promelec.ru компании "Промэлектроника";
  • по электронному почтовому адресу order@promelec.ru;
  • с помощью мобильного приложения Promelec;
  • по факсу (343) 245-33-28;
  • связавшись с нами по телефону: (343) 372-92-27;
  • в любом из наших филиалов;
  • по единому телефону отдела продаж: 8 800 1000 321.

Последние новости - одной лентой: 


сообщение об ошибке