КОМБИНИРОВАННЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ШИМ + КЛЮЧ - SMPS)

     Значительно упростить процесс разработки и изготовления ИИП стало возможным благодаря появлению нового поколения ИМС, совмещающих в одном корпусе ШИМ, цепи управления и защиты, высоковольтный полевой транзистор. Такая комбинация устройств предельно сокращает количество компонентов схемы (простейший обратноходовый ИИП содержит 15 - 20 элементов), на 50% снижает габариты и массу устройства. При этом ИИП обладает высокой степенью защиты от перегрева и перегрузки, обладает хорошей электромагнитной совместимостью с другими устройствами. Стоимость комбинированных микросхем сопоставима со стоимостью мощных полевых транзисторов, применяемых в настоящее время в качестве выходных в ИИП. Если учесть экономию за счёт меньшего числа внешних компонентов, меньшего числа операций по сборке и наладке таких источников питания, то выгоды в промышленном производстве по сравнению с линейными источниками питания, ИИП на дискретных элементах и ШИМ, описанных ранее, становятся очевидными. Кроме невысокой стоимости ИИП на комбинированных микросхемах изготовители гарантируют конечному пользователю экономию за счёт меньшего потребления энергии самим устройством. В настоящее время на отечественном рынке представлены комбинированные микросхемы для ИИП производства Power Integrations (семейства TOPSwitch и последующих) и производства STMicroelectronics (семейства VIPer). Данные для выбора типа микросхемы в зависимости от требуемой мощности приведены в таблице.
     Принципы работы ШИМ комбинированных микросхем не отличаются от применяемых в ИМС, описанных ранее, они содержат те же основные узлы. Принципиальное отличие заключается в исполнении на одном кристалле и оформлении в одном корпусе (имеющем для разных типов микросхем от 3 до 8 выводов) всех цепей ИИП, кроме входных выпрямителей/фильтров, импульсного трансформатора, вторичных цепей, цепей обратной связи, конденсатора вывода управления. Для того, чтобы была возможность полностью оценить простоту реализации ИИП на комбинированных микросхемах, на рисунке приведена типовая схема включения ИМС семейства TOPSwitch, которое является одним из первых в этом классе. Типовые схемы других семейств выполнены примерно также, с тем же количеством элементов, но с большим числом функций.

Типовая схема ИИП для работы от сети переменного тока на ИМС семейства TOPSwitch:



Основные параметры комбинированных ИМС для импульсных источников питания:

Семейство Тип ИМС Типы корпусов Рекомендуемый диапазон мощности (Вт) Особенности применения Uраб, В1 Диапазон рабочих температур, °С2 Fраб, кГц Рабочий цикл, % Дополнительные функции
Защита от пониж. Uпит Защита от повыш. Uпит Дежурный режим "Мягкий" пуск Внешнее ограничение тока ЧМ рабочей частоты Внешняя синхронизация ДУ вкл/выкл
TOPSwitch TOP200…
204, 214
TO-220/3 0…100 (в схемах корректора фактора мощности до 150)   36…700 -40…+145 100+10 1,8…67 +              
TOP100…104 0…60 (в схемах корректора фактора мощности до 110) Для работы в сети 110/100 В   +              
TOP209 DIP8 0…8   36…700 100+10 (TOP210)
70+15 (TOP209)
+   +          
TOPSwitchII TOP221…227 TO220, PDIP8, SMD8 0…150   -40…+135 100+10 1,7…67 +   +          
TOPSwitch-FX TOP232…234 TO220-7B, PDIP8, SMD8 0…75 Возможна работа на частоте 0,5Fраб для уменьшения помех 132+8 или 66+4,5 1,5…78 + + + + + + + +
TOPSwitch-GX TOP242…250 TO220-7B, PDIP8, SMD8, TO263-7C, TO262-7C 0…290   -40…+140 03…66,8 + + + + + + + +
TinySwitch TNY253…255 DIP8, SO8 0…10 Возможна работа без обмотки ОС импульсного трансформ. (Типовая схема включения) 50…700 -40…+135 44+4 (TNY253, 254) 130+15 (TNY255) 03…68 +   +         +
TinySwitchII TNY256 TO220-7B, DIP8B, SOIC8B 0…23 130+15 03…66 +   +     +   +
TinySwitch Plus TNY264, 266…268 0…19 132+8 03…65 +   +     +   +
DPA-Switch DPA423…426 TO263-7C 0…83 (max 100) Для построения DC-DC конвертеров со входным напряжением 36…75 В 16…220 -40…+137 400+25 или 300+18 03…75 + + + + +   + +
LinkSwitch LNK500, 501 DIP8B, SOIC8 0…5,5 Для построения адаптеров и зарядных устройств 50…700 -40…+135 42+7,5 (LNK500) 42+4 (LNK501) 1,8…77     + +        
VIPer VIPer20/50/100 TO220/5, DIP8 До 20/50/100   До 620, до 700 (с индексами A, ASP) -40…+170 100+10, возможна работа до 200 кГц 03…65 +   + + +   +  


Примечание:

     1) В качестве нижнего предела указано напряжение стока, при котором гарантируется работа ИМС с указанными параметрами. Возможна работа при более низких напряжениях, но с отклонением параметров от нормы. В качестве верхнего предела указано напряжение пробоя исток-сток выходного транзистора.
     2) Для всех микросхем (кроме семейства VIPer) указан рабочий диапазон температур -40:+150°С, однако в таблице в качестве верхней границы приведена температура срабатывания термозащиты.
     3) У ИМС данных типов при отключении нагрузки уменьшается рабочий цикл (за счет пропуска рабочих периодов), а у некоторых - и рабочая частота. В результате в этих условиях рабочий цикл снижается практически до 0.


     Коротко о некоторых функциях комбинированных микросхем. Все описываемые микросхемы имеют встроенные цепи авторестарта (защищают ИИП и нагрузку в случае аварии - КЗ нагрузки, обрыв петли ОС), ограничения тока стока (защита выходного транзистора), цепи запуска при подаче напряжения питания (снижается количество внешних компонентов), термозащиты. У микросхем семейств TOPSwitch и TOPSwitchII термозащита выполнена с внутренней защёлкой (после перегрева необходим перезапуск устройства), у остальных - с гистерезисом температуры срабатывания (после остывания происходит автоматический перезапуск). Все ИМС имеют возможность внешней блокировки работы выходного каскада. Наличие таких цепей значительно снижает вероятность выхода из строя ИИП на комбинированных микросхемах.
     Для ИИП на основе ИМС семейств TOPSwitch и TOPSwitchII в некоторых условиях может потребоваться подключение искусственной нагрузки. Для остальных микросхем за счет усовершенствованных схемных решений это не требуется - рабочий цикл на холостом ходу снижается практически до 0.
     Частотная модуляция рабочей частоты преобразователя снижает уровень побочных излучений на 5:10 дБ, что улучшает электромагнитную совместимость устройств. Возможность внешней синхронизации предусматривает синхронизацию от внешнего источника с частотой ниже, чем частота внутреннего генератора ИМС.
     Наличие режима ДУ делает простой реализацию ИИП с микроконтроллерным управлением.
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
233 шт.
Цена от:
38,14
К продаже:
385 шт.
Цена от:
53,20
К продаже:
684 шт.
Цена от:
25,52
К продаже:
430 шт.
Цена от:
311,15
К продаже:
10 шт.
Цена от:
811,95
К продаже:
1 366 шт.
Цена от:
45,90
К продаже:
108 шт.
Цена от:
26,84
К продаже:
30 шт.
Цена от:
525,64
К продаже:
39 шт.
Цена от:
99,26
К продаже:
26 шт.
Цена от:
64,34
К продаже:
107 шт.
Цена от:
361,72
К продаже:
200 шт.
Цена от:
151,75
К продаже:
10 шт.
Цена от:
234,79
К продаже:
2 308 шт.
Цена от:
43,83
К продаже:
1 731 шт.
Цена от:
51,80
  • Производитель
    Корпус
    Описание
DIP-8
Импульсный источник электропитания сх. упpавления, MOSFET 730В/ток стока 0.7A, 60КГц, выходная мощность не более 20Вт
SO-8
AC-DC импульсный преобразователь с ключом в ждущем режиме 54кГц to 66кГц туба 8-Pin SO N
DIP-7
Автономный преобразователь ШИМ с защитой отперегрева 7DIP
DIP-8
Импульсный источник электропитания сх. упpавления, MOSFET 650В/ток стока 1.9A, 20-130КГц
PowerSO10
Импульсный источник электропитания 50Вт 800В
DIP-7
Импульсный источник электропитания первичный 6Вт 60кГц
DIP-8
Импульсный источник электропитания
DIP-7
Импульсный источник электропитания 20Вт/800В/1.5А
SO-16
Импульсный источник электропитания 0.7А 225кГц
DIP-7
Импульсный источник электропитания 20Вт/800В/1.5А 115кГц
SSO10
ШИМ преобразователь DC/AC, 115kHz, 800v, 2,5A
SO-8
Автономный ключ ШИМ импульсного источника электропитания 8SOIC
7DIP
Автономный конвертер ШИМ с защитой по току и напряжению 7DIP
SO-8
Автономный ключ ШИМ импульсного источника электропитания 8SOIC
16-SO
Автономный конвертер ШИМ 800В 16-SOIC