IXFH12N120P, МОП-транзистор 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Код товара: 10073459
Цена от:
2 645,57 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH12N120P
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | IXFH12N120 |
Упаковка | Tube |
Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
ECCN | EAR99 |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Ширина | 5.3 mm |
Вес изделия | 6.500 g |
Pd - рассеивание мощности | 543 W |
Количество каналов | 1 Channel |
Время спада | 34 ns |
Время нарастания | 25 ns |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Технология | Si |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 Ohms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 103 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 62 ns |
Типичное время задержки при включении | 34 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFH12N120P , МОП-транзистор 12 Amps 1200V 1.15 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 793 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара