PBSS4160DSH, Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
Производитель:
NEXPERIA
Артикул:
PBSS4160DSH
Описание PBSS4160DSH
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 1 mA, 5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at 1 mA, 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара