SIHF18N50D-E3, МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Описание SIHF18N50D-E3
Вес изделия | 6 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Серия | E |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 10.41 mm |
Ширина | 4.7 mm |
Высота | 15.49 mm |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вид монтажа | Through Hole |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 39 W |
Время спада | 30 ns |
Время нарастания | 36 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Qg - заряд затвора | 38 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара