IGW25N120H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IGW25N120H3
Описание IGW25N120H3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | HighSpeed 3 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Вес изделия | 38 g |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 326 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара