TN2540N3-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TN2540N3-G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 400V 12Ohm
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
193,76 руб.
Внешние склады
-
37+ 54+ 108+ 537+236,63 ₽ 204,05 ₽ 198,91 ₽ 193,76 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 37Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание TN2540N3-G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | FET |
| Конфигурация | Single |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 175 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TN2540N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 331 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2461 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1369 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 597 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 336 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара