NSBC123JDXV6T1G, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSBC123JDXV6T1G
Описание NSBC123JDXV6T1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | NSBC123JDXV6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 1.6 mm |
| Вес изделия | 3 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.047 |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара