RGTH00TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
Код товара: 10719265
Цена от:
667,39 руб.
Нет в наличии
Описание RGTH00TS65DGC11
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | RGTH00TS65 |
| Pd - рассеивание мощности | 277 W |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 38 g |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 85 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 85 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка RGTH00TS65DGC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара