BSS192P
Код товара: 10839437
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSS192P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CHANNEL 250V 0.19A SOT89
Цена от:
27,51 руб.
Нет в наличии
Описание BSS192P
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 190 мА |
| Максимальное напряжение сток-исток | 250 В |
| Тип корпуса | SOT-89 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 20 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SIPMOS |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4,9 нКл при 10 В |
| Высота | 1.5мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 4.5мм |
| Ширина | 2.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSS192P
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара