IXFT15N100Q3
Код товара: 10847260
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFT15N100Q3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 1000V 15A Q3 HIPERFET TO268
Цена от:
1 836,85 руб.
Нет в наличии
Описание IXFT15N100Q3
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 15 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1000 В |
| Тип корпуса | TO-268 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,05 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 6.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 690 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HiperFET, Q3-Class |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 16.05мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 64 нКл при 10 В |
| Высота | 5.1мм |
| Ширина | 14мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFT15N100Q3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара