IPB100N06S2L-05
Код товара: 10851650
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPB100N06S2L-05
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100A 55V OPTIMOS TO263
Цена от:
354,80 руб.
Нет в наличии
Описание IPB100N06S2L-05
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 100 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 5,9 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.31мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 170 нКл при 10 В |
| Высота | 4.57мм |
| Ширина | 9.45мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка IPB100N06S2L-05
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара