8 800 1000 321 - контакт центр
  • STGW80H65FB

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ST Microelectronics

Описание

IGBT 80A (@100C) 650V TRENCH GAT

Биполярный транзистор IGBT, 80A, 650 В

Документация

DataSheet
Код товара: 158991
Дата обновления: 25.06.2018 19:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 18 шт: 616.670 руб.
от 9 шт: 637.050 руб.
от 5 шт: 665.790 руб.
от 3 шт: 714.890 руб.
от 1 шт: 763.990 руб.
6 шт 1 день1 шт.1 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
30 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 В
Макс. ток коллектора
120 А
Импульсный ток коллектора макс.
240 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2 В
Макс. рассеиваемая мощность
469 Вт
Переключаемая энергия
2.1 мДж
Заряд затвора
414 нКл
Время задержки вкл./выкл.
84 нс/280 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
6 шт.
Интернет-магазин
6 шт.

C этим товаром покупают:

Диоды
BAS70-07,215
Цена от
2.76 руб.
Разъемы, Соединители
SCS-28 (2.54mm)
Цена от
2.68 руб.
Оптоэлектроника
KPBA-3010PBVGC(PBAVGAC)
Цена от
8.50 руб.
Диоды
BZX384-C5V1,115
Цена от
4.25 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке