IRF7404TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 20В 6.7A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Транзистор полевой P-канальный 20В 6.7A
Транзистор полевой P-канальный 20В 6.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7404TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.26 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF7404TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 6,7 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 МОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1500 pF @ -15 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7404PBF MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC TubeINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара