8 800 1000 321 - контакт центр

MJD112-1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

  • MJD112-1G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219121
Дата обновления: 18.01.2019 13:00
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 600 шт: 30.115 руб.
от 375 шт: 30.907 руб.
2 175 шт.28 раб. дн.75 шт.375 шт.
от 576 шт: 30.115 руб.
от 346 шт: 30.906 руб.
2 475 шт.28 раб. дн.1 шт.346 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
I-Pak
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100V
Ток коллектора Макс.
2A
Мощность Макс.
1.75W
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25MHz
Напряжение насыщения КЭ
3V
Тип монтажа
Сквозной

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
4650 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке