M50100TB1600, Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MODULE POWER 100A 1600V 3PH BRDG

Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ

m_50d pdf, 0,5 мБ

Код товара: 317268

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка M50100TB1600 , Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

Module
Нормоупаковка

2 шт.
Тип моста

Three Phase
Ток

100A
Обратное напряжение

1600V

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← VS-90MT160KPBF M5060SB1000 →