ADP3110AKCPZ-RL, IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin DFN EP T/R

IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN
Код товара: 358318
Дата обновления: 25.11.2022 07:15
Доставка ADP3110AKCPZ-RL , IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    DFN8-(3x3)
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт

Описание ADP3110AKCPZ-RL

The ADP3110AKCPZ-RL is a 12V dual bootstrapped MOSFET Driver with output disable function. The MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs in a synchronous buck converter. The high-side & low-side driver is capable of driving a 3000pF load with a 25ns propagation delay and a 30ns transition time. With a wide operating voltage range, high or low-side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal adaptive non-overlap circuitry further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs. The floating top driver design can accommodate VBST voltages as high as 35V, with transient voltage as high as 40V. Both gate outputs can be driven low by applying a low logic level to the output disable (OD) pin. An under-voltage lockout function ensures that both driver outputs are low when the supply voltage is low and a thermal shutdown function provides the IC with over-temperature protectio

• All-in-one synchronous buck driver
• Bootstrapped high-side drive
• One PWM signal generates both drives
• Anti-cross conduction protection circuitry

Конфигурацияhalf-bridge
Тип каналасинхронный
Кол-во каналов2
Тип управляемого затвораN-CH MOSFET
Напряжение питания, В4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В0.8
Логическое напряжение (VIH), В2
Тип входаИнвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс11
Рабочая температура, °C0…+150 (TJ)
КорпусDFN-8 EP (3x3)
Вес, г0.04