IRFR1018ETRPBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Транзистор полевой N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Транзистор полевой N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFR1018ETRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2000 шт
-
Вес брутто0.4 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFR1018ETRPBF
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 79 A |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 6.22мм |
| Высота | 2.39мм |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 55 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,4 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 46 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2290 пФ при 50 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
-
IRFR1018EPBF MOSFET N-CH 60V 79A DPAKНаличие:290 штМинимум:штЦена от:158,58 ₽INFDPAK/TO-252AA
Сообщите мне о поступлении товара