HGTG30N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG30N60A4D
Документы:
Описание HGTG30N60A4D
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 |
| Управляющее напряжение,В | 7 |
| Мощность макс.,Вт | 463 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара