Одиночные IGBT транзисторы

₂₈₅

Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (285)

IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

48 А

Импульсный ток коллектора макс.:

72 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

115 мкДж

Наличие:

2 751 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 150,02₽

STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

130 Вт

Переключаемая энергия:

85 мкДж

Наличие:

2 553 шт

Внешние склады:

450 шт

Цена от:

от 130,60₽

STGD6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

15 А

Импульсный ток коллектора макс.:

21 А

Макс. рассеиваемая мощность:

56 Вт

Переключаемая энергия:

20 мкДж

Наличие:

1 535 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 57,73₽

IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

225 А

Макс. рассеиваемая мощность:

428 Вт

Переключаемая энергия:

4.5 мДж

Наличие:

1 032 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 242,56₽

STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

750 мкДж

Наличие:

864 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 276,95₽

IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

96 А

Импульсный ток коллектора макс.:

144 А

Макс. рассеиваемая мощность:

330 Вт

Переключаемая энергия:

625 мкДж

Наличие:

857 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 806,34₽

IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

100 А

Импульсный ток коллектора макс.:

200 А

Макс. рассеиваемая мощность:

333 Вт

Переключаемая энергия:

2.36 мДж

Наличие:

801 шт

Внешние склады:

160 шт

Цена от:

от 226,19₽

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

767 шт

Внешние склады:

560 шт

Цена от:

от 169,05₽

STGP10NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

65 Вт

Переключаемая энергия:

55 мкДж

Наличие:

763 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 101,28₽

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

656 шт

Внешние склады:

488 шт

Цена от:

от 195,33₽

STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

220 мкДж

Наличие:

521 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 243,63₽

STGP19NC60KD Биполярный транзистор с изолированным затвором 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Наличие:

518 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 102,30₽

STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

220 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

333 мкДж

Наличие:

512 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 188,03₽

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

461 шт

Внешние склады:

1 506 шт

Цена от:

от 180,87₽

IKW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Наличие:

345 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 169,07₽

Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

310 шт

Внешние склады:

1 170 шт

Цена от:

от 213,60₽

IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

23 А

Импульсный ток коллектора макс.:

92 А

Макс. рассеиваемая мощность:

100 Вт

Переключаемая энергия:

130 мкДж

Наличие:

292 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 126,98₽

IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

65 А

Импульсный ток коллектора макс.:

72 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

115 мкДж

Наличие:

255 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 461,48₽

-5% Акция

STGP6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

15 А

Импульсный ток коллектора макс.:

21 А

Макс. рассеиваемая мощность:

56 Вт

Переключаемая энергия:

20 мкДж

Наличие:

242 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 33,30₽

Акция

STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

11 А

Импульсный ток коллектора макс.:

50 А

Макс. рассеиваемая мощность:

28 Вт

Переключаемая энергия:

82 мкДж

Наличие:

212 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 106,80₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"