FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF150R12RT4HOSA1
Документы:
Технические параметры
-
Корпус34 mm
-
Тип упаковкиTray (палетта)
-
Нормоупаковка10 шт
-
Вес брутто182.2 г.
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Вес, г | 160 |
Сообщите мне о поступлении товара