FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF150R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки:
Tray (палетта)
В упаковке:
10 шт
Корпус:
34 mm
Цена от:
6 037,10 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 6+ 10+6 768,38 ₽ 6 502,83 ₽ 6 296,51 ₽ 6 158,50 ₽ 6 037,10 ₽Срок:В наличииНаличие:194Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 6+ 10+6 768,38 ₽ 6 502,83 ₽ 6 296,51 ₽ 6 158,50 ₽ 6 037,10 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
| Вес, г | 160 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
