FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 200A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Paper Box
В упаковке:
10 шт
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Цена от:
5 224,12 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 4+ 7+ 20+5 868,42 ₽ 5 634,46 ₽ 5 452,68 ₽ 5 331,09 ₽ 5 224,12 ₽Срок:В наличииНаличие:110Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
2+ 3+ 30+5 972,46 ₽ 5 618,16 ₽ 5 516,93 ₽Срок:7 днейНаличие:30Минимум:Мин: 2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FF200R12KT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
34 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 485,92₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара