FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KT4HOSA1
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 200A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Paper Box
В упаковке:
10 шт
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
6 008,61 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 6+ 10+6 738,90 ₽ 6 473,71 ₽ 6 267,68 ₽ 6 129,85 ₽ 6 008,61 ₽Срок:В наличииНаличие:258Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Показать аналоги
Технические параметры
Описание FF200R12KT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Наличие:
8 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9 558,36₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара