FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF200R12KT4HOSA1
Документы:
Технические параметры
-
Корпус62 mm
-
Тип упаковкиPaper Box
-
Нормоупаковка10 шт
-
Вес брутто364 г.
-
Напряжение коллектор-эмиттер
Полные аналоги
-
INF
Функциональные аналоги
-
SKM200GB12T4 IGBT Module N-CH 1200V 313A 7-PinНаличие:55 штМинимум:штЦена от:8 524,77 ₽SEMIKRONSEMITRANS® 3 (Case D56)
-
HFGM200A 1200V 1200V/200A 2 in one-packageНаличие:10 штМинимум:штЦена от:5 444,92 ₽HUAJING
Сообщите мне о поступлении товара