FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 200A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Цена от:
5 112,11 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 7+5 870,35 ₽ 5 603,04 ₽ 5 406,03 ₽ 5 249,66 ₽ 5 112,11 ₽Срок:В наличииНаличие:18Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FF200R12KT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
40 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 584,42₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара