STW20NM60, Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 214Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
N-MOS+D 600V, 20A, 214W
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 214Вт
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 214Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STW20NM60
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто6.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STW20NM60
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | to247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |
Полные аналоги
-
SPW20N60CFDFKSA1 Field-effect transistor, N-channel, 600V 20A 208WНаличие:90 штМинимум:штЦена от:685,75 ₽INFTO-247
Сообщите мне о поступлении товара