STW20NM60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 214Вт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец-
1+ 9+ 18+ 30+ 90+268,72 ₽ 249,83 ₽ 234,84 ₽ 222,62 ₽ 213,54 ₽Срок:В наличииНаличие:20Минимум:1Количество в заказ
Технические параметры
Описание STW20NM60
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | to247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |