Одиночные MOSFET транзисторы

469
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (469)
-8% Акция
FCP20N60 FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
372 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 256,20
FCPF20N60 FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
99 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 297,66
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
375 шт

Внешние склады:
1 315 шт
Цена от:
от 193,14
FDA24N50 FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
4150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
137 шт
Цена от:
от 329,76
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
126 шт

Внешние склады:
1 065 шт
Цена от:
от 173,88
-8% Акция
FDA59N25 FDA59N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
392Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
105 шт
Цена от:
от 403,62
FDA59N30 FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 458,10
-8% Акция
FDB33N25TM FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 55,86
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
166 шт

Внешние склады:
1 095 шт
Цена от:
от 133,50
Акция
FDPF10N60NZ FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
130 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,70
FDPF5N50UT FDPF5N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
81 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 27,24
-8% Акция
FDPF7N50U FDPF7N50U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
308 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,52
-8% Акция
FQA9N90C_F109 FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 256,50
FQB12P20TM FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 451,32
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 72,06
-8% Акция
FQD1N80TM FQD1N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,96
FQD3P50TM FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
4.9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
754 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 77,10
-8% Акция
FQP4N90C FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
4.2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
831 шт

Внешние склады:
1 413 шт
Цена от:
от 76,74
-8% Акция
FQP6N80C FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
107 шт
Цена от:
от 197,28
-8% Акция
FQPF3N80C FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
705пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
401 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 60,18
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"