Одиночные MOSFET транзисторы

16
Сопротивление открытого канала: 290 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF6215PBF IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
225 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,96
-8% Акция
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 208Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 844 шт

Внешние склады:
466 шт
Цена от:
от 108,54
-8% Акция
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 007 шт

Внешние склады:
635 шт
Цена от:
от 202,08
STP20NM60FP STP20NM60FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
4 116 шт
Цена от:
от 203,76
STW20NM60 STW20NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 214Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
363 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Аналоги:
104 шт
Цена от:
от 145,68
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 333,42
STP20NM60FD STP20NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 317,46
STW20NM60FD STW20NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 380,28
AUIRF6215 AUIRF6215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB14N30TM FDB14N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP12P10 FQP12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP14N30 FQP14N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14.4A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12P10 FQPF12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF6215SPBF IRF6215SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60ND STB18NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"