FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF100R12RT4HOSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусAG-34MM
-
Тип упаковкиPaper Box
-
Нормоупаковка10 шт
-
Вес брутто189.5 г.
Описание FF100R12RT4HOSA1
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Length | 94мм |
Transistor Configuration | Серия |
Brand | Infineon |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 В |
Maximum Continuous Collector Current | 100 А |
Package Type | AG-34MM-1 |
Maximum Power Dissipation | 555 W |
Mounting Type | Монтаж на панель |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Width | 34мм |
Высота | 30.2мм |
Dimensions | 94 x 34 x 30.2mm |
Configuration | Серия |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Channel Type | N |
Вес, г | 160 |
Сообщите мне о поступлении товара