FP10R12W1T4B11BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 10 A
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105000mW 23-Pin EASY1B Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 10 A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 10 A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FP10R12W1T4B11BOMA1
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара