FF50R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF50R12RT4HOSA1
Описание Eng:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 285000mW 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
В упаковке:
10 шт
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
11 964,68 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FF50R12RT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF50R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара