FF50R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 285000mW 7-Pin Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF50R12RT4HOSA1
Документы:
Технические параметры
-
Корпус34 mm
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка10 шт.
-
Вес брутто180 г.
-
Напряжение коллектор-эмиттер
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара