FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

FF200R12KT4 pdf, 283,3 кБ

Код товара: 139802

Дата обновления: 25.04.2024 15:35

Цена от: 8 518,94 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 6 раб. дней

от 2352 ₽

Деловые линии

от 18 раб. дней

от 2322 ₽

Почта РФ

от 10 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 6 раб. дней

от 2578 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

62 mm
Тип упаковки

Paper Box
Нормоупаковка

10 шт
Вес брутто

364 г.
Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
FF200R12KT4

Сообщить о поступлении

INF

Функциональные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
SKM200GB12T4 IGBT Module N-CH 1200V 313A 7-Pin

Наличие:
55 шт
По складам

Минимум:
шт

Цена от:
8 524,77 ₽

SEMIKRON

SEMITRANS® 3 (Case D56)
HFGM200A 1200V 1200V/200A 2 in one-package

Наличие:
10 шт
По складам

Минимум:
шт

Цена от:
5 444,92 ₽

HUAJING

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FF150R12RT4HOSA1 FF300R12KT4 →