FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Код товара: 139805

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF450R12KT4HOSA1
Описание Eng:
62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode
Тип упаковки:
Tray (палетта)
В упаковке:
10 шт
Корпус:
AG-62MMHB
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Вес брутто

340 г.

Описание FF450R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Разрешительная документация

Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.

Аналоги и возможные замены

XNG450B24KC2S Полный аналог Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9 623,28₽
Акция
HFGM450A 1200V Функциональный аналог Модуль силовой IGBT 1200В/450A Производитель: ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
DFI450HF12DF1 Полный аналог IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А, корпус 62мм Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
AP450H12X4B Полный аналог Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм Производитель: APEMIC

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FF450R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.