FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF150R12RT4HOSA1
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки:
Tray (палетта)
В упаковке:
10 шт
Корпус:
34 mm
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец
Цена от:
6 842,04 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 6+ 10+7 670,83 ₽ 7 369,87 ₽ 7 136,05 ₽ 6 979,64 ₽ 6 842,04 ₽Срок:В наличииНаличие:186Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 6+ 10+7 670,83 ₽ 7 369,87 ₽ 7 136,05 ₽ 6 979,64 ₽ 6 842,04 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
| Вес, г | 160 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
0 шт
Под заказ:
4 шт
Цена от:
от 11 243,47₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара