bc858

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
bc858 (20)
BC858
Производитель:
Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
Наличие:
0 шт

Под заказ:
69 023 шт
Цена от:
от 0,52
BC858W,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 657 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,46
BC858B,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.25Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
1 909 шт

Под заказ:
12 000 шт
Аналоги:
170 013 шт
Цена от:
от 9,73
BC858CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 885 шт

Под заказ:
51 000 шт
Аналоги:
97 767 шт
Цена от:
от 1,84
BC858BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 855 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
175 067 шт
Цена от:
от 1,89
BC858ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 710 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
156 000 шт
Цена от:
от 1,84
BC858BWH6327XTSA1 Биполярный транзистор PNP 30В 0.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
3 222 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
36 000 шт
Цена от:
от 2,12
BC858CW Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
2 820 шт

Под заказ:
96 000 шт
Цена от:
от 0,81
BC858CE6327HTSA1 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 767 шт

Под заказ:
1 000 шт
Аналоги:
153 885 шт
Цена от:
от 2,68
BC858B Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Наличие:
1 158 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
182 764 шт
Цена от:
от 0,63
BC858AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
9 000 шт
Цена от:
от 16,58
BC858BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
70 000 шт
Аналоги:
113 922 шт
Цена от:
от 1,61
BC858BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
36 000 шт
Аналоги:
3 222 шт
Цена от:
от 2,97
BC858CLT3G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
40 000 шт
Аналоги:
117 652 шт
Цена от:
от 3,11
BC858CW-7-F Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Под заказ:
45 000 шт
Цена от:
от 2,45