g30n60

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
g30n60 (2)
HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж
Наличие:
141 шт
Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 266,47
HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж
Наличие:
81 шт
Под заказ:
1 070 шт
Цена от:
от 396,43