• Главная
  • Результаты поиска "igbt с диодом"

igbt с диодом

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt с диодом (7)
DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
81 шт

Под заказ:
7 123 шт
Цена от:
от 243,80
DF150R12RT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5 345,39
STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В Производитель: ST Microelectronics Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300V Макс. ток коллектора: 33А Переключаемая энергия: 3.4 мДж
Наличие:
32 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 338,96
L6386ED013TR Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V
Наличие:
169 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
462 шт
Цена от:
от 133,68
L6386ED Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V
Наличие:
134 шт

Под заказ:
328 шт
Аналоги:
169 шт
Цена от:
от 126,81
STGP19NC60KD IGBTshort circuit rugged 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
233 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 97,52
IKW08T120FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A
Наличие:
109 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 211,32