• Главная
  • Результаты поиска "igbt с диодом"

igbt с диодом

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt с диодом (7)
DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
54 шт

Под заказ:
5 805 шт
Цена от:
от 297,88
DF150R12RT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3 623,34
STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В Производитель: ST Microelectronics Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300V Макс. ток коллектора: 33А Переключаемая энергия: 3.4 мДж
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 368,31
L6386ED013TR Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
330 шт
Цена от:
от 142,50
L6386ED Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V
Наличие:
125 шт

Под заказ:
205 шт
Аналоги:
48 шт
Цена от:
от 142,00
STGP19NC60KD IGBTshort circuit rugged 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
104 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,93
IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A
Наличие:
124 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 226,15