Статическая память - SRAM Integrated Silicon Solution, Inc купить оптом и в розницу

IS61LV256AL-10JLI Статическое ОЗУ 256Kбит 10нс 28SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ28 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 256K (32K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV256AL-10JLI-TR Статическое ОЗУ 256Kбит 10нс 28SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ28 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 256K (32K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV256AL-10TLI Статическое ОЗУ 256Kбит 10нс 28TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP28-I Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 256K (32K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV256AL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 256Kбит 10нс 28TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP28-I Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 256K (32K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV5128AL-10KLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 36SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ36 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV5128AL-10KLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 36SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ36 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV5128AL-10TLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV5128AL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-10KLI Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ44 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-10KLI-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ44 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

Акция

IS61LV6416-10TL SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-10TL-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-10TLI Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-10TLI-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 1M (64K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-8KL IC SRAM 1MB 8NS 44SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: SOJ44

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-8TL IC SRAM 1MBIT 8NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44

Сообщить о поступлении

IS61LV6416-8TL-TR IC SRAM 1MBIT 8NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44

Сообщить о поступлении

IS61NLF51236-6.5B3I Статическое ОЗУ счетверенное электропитание 3.3В 18М-бит 512Kx36 6.5нс синхронное Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: 165-TFBGA (13x15)

Сообщить о поступлении

IS61NLP25636A-200TQLI Статическое ОЗУ 9Mбит 200МГц 100TQFP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TQFP100-(14x20) Тип памяти: SRAM - Synchronous Объем и организация памяти: 9M (256K x 36) Быстродействие: 200MHz Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V

Сообщить о поступлении

IS61VPS25636A-200TQLI Статическое ОЗУ 9Mбит 200МГц 100TQFP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TQFP100-(14x20) Тип памяти: SRAM - Synchronous Объем и организация памяти: 9M (256K x 36) Быстродействие: 200MHz Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V

Сообщить о поступлении