Статическая память - SRAM Integrated Silicon Solution, Inc

241
Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc
Фильтр
Корпус
Тип памяти
Объем и организация памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
Статическая память - SRAM (241)
IS61WV204816BLL-10BLI Асинхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) объемом 32 Мбит
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV204816BLL-10TLI-TR SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 32M-bit 2M x 16 10ns 48-Pin TSOP-I T/R
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV20488FBLL-10TLI IS61WV20488FBLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 2M x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 48MINIBGA
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
48-miniBGA (6x8)
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
4M (256K x 16)
Быстродействие:
10ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
2.4 V ~ 3.6 V
IS61WV25616BLL-10BLI-TR IS61WV25616BLL-10BLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 48MINIBGA
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
48-miniBGA (6x8)
IS61WV25616BLL-10KLI IS61WV25616BLL-10KLI IC SRAM 4MB 8NS 44 SOJ
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV25616BLS-25TLI IS61WV25616BLS-25TLI IC SRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
TSOP44-II
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
4M (256K x 16)
Быстродействие:
25ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
2.4 V ~ 3.6 V
IS61WV25616EFBLL-10BLI 4Mbit 2.4V~3.6V Parallel Port (Parallel) TFBGA-48(6x8) Memory (ICs) RoHS
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV25616EFBLL-10TLI IS61WV25616EFBLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV25616FBLL-10TLI IS61WV25616FBLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV3216BLL-12TLI IS61WV3216BLL-12TLI Static RAM 512K 32Kx16 12ns Async Static RAM 3.3v
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
TSOP44-II
IS61WV51216EDBLL-8BLI Статическое ОЗУ 8Мбит 8нс 48BGA
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
48-TFBGA (6x8)
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
8M (512K x 16)
Быстродействие:
8ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
2.4 V ~ 3.6 V
IS61WV51216EEBLL-10TLI SRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV51232BLL-10BLI IS61WV51232BLL-10BLI Статическое ОЗУ 16Mбит 10нс 90FBGA
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
FBGA90-(8x13)
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
16M (512K x 32)
Быстродействие:
10ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
1.65 V ~ 3.6 V
IS61WV5128BLL-10KLI IS61WV5128BLL-10KLI Статическое ОЗУ 4Мбит 8нс 36SOJ
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
36-SOJ
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
4M (512K x 8)
Быстродействие:
10ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
1.65 V ~ 3.6 V
IS61WV5128EDBLL-10TLI IS61WV5128EDBLL-10TLI IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
44-TSOP2 (10.2x18.4)
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV5128FBLL-10TLI IS61WV5128FBLL-10TLI SRAM, 4M-BIT, -40...85°C
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
IS61WV6416BLL-12TLI IS61WV6416BLL-12TLI Статическое ОЗУ питание 3.3В 1М-бит 64Kx16 12нс асинхронное
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
TSOP44-II
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
1M (64K x 16)
Быстродействие:
12ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
3 V ~ 3.6 V
IS61WV6416DBLL-10TLI IS61WV6416DBLL-10TLI Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44TSOP
Производитель:
Integrated Silicon Solution, Inc
Корпус:
44-TSOP2 (10.2x18.4)
Тип памяти:
SRAM - Asynchronous
Объем и организация памяти:
1M (64K x 16)
Быстродействие:
10ns
Интерфейс:
Parallel
Напряжение питания:
2.4 V ~ 3.6 V
На странице: