FODM8801CОптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4-MINI-FLAT Производитель: ON SemiconductorКорпус: 4-Mini-FlatЧисло каналов: 1 Тип выхода: Transistor Макс. выходное напряжение: 75V Выходной ток на канал: 30mA Напряжение изоляции: 3750Vrms Мин. к-т передачи тока: 200% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 6 µs, 6 µs
FODM8801CR2Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4-MINI-FLAT Производитель: ON SemiconductorКорпус: 4-Mini-FlatЧисло каналов: 1 Тип выхода: Transistor Макс. выходное напряжение: 75V Выходной ток на канал: 30mA Напряжение изоляции: 3750Vrms Мин. к-т передачи тока: 200% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 6 µs, 6 µs
H11A1MОптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 150mA Напряжение изоляции: 5000Vrms Мин. к-т передачи тока: 50% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11A1SMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 50% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 2 µs, 2 µs
H11A1SR2MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 50% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 2 µs, 2 µs
H11A1VMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход постоянного тока c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 50% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 2 µs, 2 µs
H11AA1MОптопара транзисторная одноканальная вход по переменному току 5.3кВ /70В 100мА 20% Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Напряжение изоляции: 5300Vrms Мин. к-т передачи тока: 20% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AA1SR2MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 20% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AA4MОптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AA4SR2MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AA4TVMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный с выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: 6-DIPЧисло каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AA4VMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: AC, DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV
H11AG1MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 5 µs, 5 µs
H11AG1SR2MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 30V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 5 µs, 5 µs
H11AV1AMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 70V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 15 µs, 15 µs
H11AV1AVMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 70V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 15 µs, 15 µs
АкцияH11AV1MОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP Производитель: ON SemiconductorКорпус: DIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 70V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 15 µs, 15 µs
H11AV1SMОптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD Производитель: ON SemiconductorКорпус: SMDIP-6Число каналов: 1 Тип выхода: Transistor with Base Макс. выходное напряжение: 70V Напряжение изоляции: 7500Vpk Мин. к-т передачи тока: 100% @ 10mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 400mV Время вкл./выкл.: 15 µs, 15 µs
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.