Транзисторные оптопары ON Semiconductor

349
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Число каналов
Тип выхода
Макс. выходное напряжение
Выходной ток на канал
Напр. насыщения на выходе макс.
Напряжение изоляции
Мин. к-т передачи тока
Тип входа
Время вкл./выкл.
Транзисторные оптопары (349)
FODM453R2 FODM453R2 Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 5MFP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MFP5
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
20V
Выходной ток на канал:
8mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
20% @ 16mA
Тип входа:
DC
Время вкл./выкл.:
400ns, 350ns
FODM8801A FODM8801A Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4-MINI-FLAT
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
75V
Выходной ток на канал:
30mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
35% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
6 µs, 6 µs
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 49,25
FODM8801B FODM8801B Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4-MINI-FLAT
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
75V
Выходной ток на канал:
30mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
65% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
6 µs, 6 µs
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 76,95
H11A1M H11A1M Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
5000Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
H11A1SM H11A1SM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMDIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
2 µs, 2 µs
H11A1VM H11A1VM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход постоянного тока c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
2 µs, 2 µs
H11A817CSD H11A817CSD Оптопара 5.3кВ транзисторная 4SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-SMD
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
70V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
5300Vrms
Мин. к-т передачи тока:
200% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
200mV
H11AA1M H11AA1M Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
H11AA1SM H11AA1SM OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 4.17KV, SMDIP-6;
Производитель:
ON Semiconductor
H11AA1SR2M H11AA1SR2M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMDIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
20% @ 10mA
Тип входа:
AC, DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
H11AA4TVM H11AA4TVM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный с выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-DIP
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
AC, DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
H11AA4VM H11AA4VM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
AC, DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
H11AG1M H11AG1M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
5 µs, 5 µs
H11AG1SR2M H11AG1SR2M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMDIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
5 µs, 5 µs
H11AV1AM H11AV1AM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
70V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
15 µs, 15 µs
H11AV1AVM H11AV1AVM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
70V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
15 µs, 15 µs
H11AV1SM H11AV1SM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMDIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
70V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
15 µs, 15 µs
H11AV1SR2M H11AV1SR2M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMDIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
70V
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
100% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
15 µs, 15 µs (Max)
H11B1M H11B1M Оптоизолятор 5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Darlington with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
500% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
1V
Время вкл./выкл.:
25 µs, 18 µs
H11D1M H11D1M Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
300V
Выходной ток на канал:
100mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
20% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
5 µs, 5 µs
На странице: