Транзисторные оптопары ON Semiconductor

349
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Число каналов
Тип выхода
Макс. выходное напряжение
Выходной ток на канал
Напр. насыщения на выходе макс.
Напряжение изоляции
Мин. к-т передачи тока
Тип входа
Время вкл./выкл.
Транзисторные оптопары (349)
Акция
HMHA2801 HMHA2801 Оптопара транзисторная одноканальная 3.75кВ /80В 0.05A Кус=80..600% 0.15Вт -55...+100°C
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
80% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
300mV
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 126 шт
Цена от:
от 16,41
HMHA2801AR2V HMHA2801AR2V Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4-MINI-FLAT
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
80% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
300mV
HMHA2801CR2 HMHA2801CR2 Оптоизолятор 2.5кВ транзисторный 4SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Mini-Flat-4
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
200mV
HMHA2801R2V HMHA2801R2V Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
80% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
300mV
HMHA2801V HMHA2801V Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
80% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
300mV
Акция
HMHA281 HMHA281 Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
HMHA281R2V HMHA281R2V Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SO
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-Mini-Flat
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
HMHAA280V HMHAA280V Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный 4-MINI-FLAT
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Mini-Flat-4
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
80V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
3750Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 5mA
Тип входа:
AC, DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
MCT5210M MCT5210M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
60% @ 3mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
MCT5211M MCT5211M Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
75% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
MCT5211TVM MCT5211TVM Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
7500Vpk
Мин. к-т передачи тока:
75% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
MCT61 MCT61 Оптоизолятор 5кВ двухканальный транзисторный выход 8DIP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-8
Число каналов:
2
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
30mA
Напряжение изоляции:
5000Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
2.4 µs, 2.4 µs
MCT9001S MCT9001S OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-SMD
MCT9001SD MCT9001SD Оптоизолятор 5кВ двухканальный транзисторный выход 8SMD
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-SMD
Число каналов:
2
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
55V
Выходной ток на канал:
30mA
Напряжение изоляции:
5000Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 5mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
3 µs, 3 µs
MOC211M MOC211M Оптоизолятор 2.5кВ транзисторный выход c выводом базы 8SOIC
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
20% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
7.5 µs, 5.7 µs
MOC211R2M MOC211R2M Оптоизолятор 2.5кВ транзисторный выход c выводом базы 8SOIC
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
20% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
7.5 µs, 5.7 µs
MOC216R2M MOC216R2M Оптоизолятор 2.5кВ транзисторный выход c выводом базы 8SOIC
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
50% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
4 µs, 4 µs
MOC223M MOC223M Оптоизолятор 2.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 8SOIC
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Число каналов:
1
Тип выхода:
Darlington with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
500% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
1V
Время вкл./выкл.:
10 µs, 125 µs
MOC223R2M MOC223R2M Оптоизолятор 2.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 8SOIC
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Число каналов:
1
Тип выхода:
Darlington with Base
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
150mA
Напряжение изоляции:
2500Vrms
Мин. к-т передачи тока:
500% @ 1mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
1V
Время вкл./выкл.:
10 µs, 125 µs
MOC8103 MOC8103 Оптопара транзисторная одноканальная 5.3кВ /30В 0.06A Кус=108...173% 0.26Вт -55...+100°C
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP-6
Число каналов:
1
Тип выхода:
Transistor
Макс. выходное напряжение:
30V
Выходной ток на канал:
50mA
Напряжение изоляции:
5300Vrms
Мин. к-т передачи тока:
108% @ 10mA
Тип входа:
DC
Напр. насыщения на выходе макс.:
400mV
Время вкл./выкл.:
2 µs, 3 µs
На странице: