Срок поставки 25 дн.

₂₃₇₈

Производитель: Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Срок поставки 25 дн. (2378)

ZXMN2B01F MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation P

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01F MOSFET, N-CH, 30V, 2A, SOT-23;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01FQTA 30V 180m?@10V 625mW SOT-23-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3A02X8TA Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 8-Pin MSOP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3A03E6 MOSFET, N, SOT-23-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3A14FQTA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN3B04N8TA Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SOIC T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN4A06K MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08E6 MOSFET, N, SOT-23-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08GQTA Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09GQTA MOSFET BVDSS: 41V60V SOT223 T&R 1K

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11G MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN7A11G MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:70V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP10A17E6QTA Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP10A17GQTA Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP3A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.4 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Сообщить о поступлении

ZXMP4A16K MOSFET, P, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP4A57E6TA Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP6A16DN8TC Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP6A18K MOSFET, P, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:10.4A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipati

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении