Тиристоры (SCR) ON Semiconductor

₁₉

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Тиристоры (SCR) (19)

MAC12HCNG TRIAC 800V 12A Through Hole TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 71,45₽

MAC3030-8G TRIAC 250V 8A Through Hole TO-220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 109,45₽

MCR718RL Тиристор 4A 600V

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 100 шт

Цена от:

от 53,16₽

2N5060G Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение закрытого состояния:

30В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

510мА

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

800мА

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

10А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5060RLRAG Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение закрытого состояния:

30В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

510мА

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

800мА

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

10А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5060RLRMG Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение закрытого состояния:

30В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

510мА

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

800мА

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

10А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5061G Тиристор 60В 0,8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение закрытого состояния:

60В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

510мА

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

800мА

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

10А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5062G Тиристор 100В 0,8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение закрытого состояния:

100В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

510мА

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

800мА

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

10А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

Акция

2N6027G Программируемый однопереходной транзистор, 40В 0.15А 50мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Сообщить о поступлении

C106D1G

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

MCR12DSMT4G Тиристор 600В 12А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.9В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

7.6А

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

12А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

6мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

100А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR12DSNT4G Тиристор 800В 12А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение закрытого состояния:

800В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.9В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

7.6А

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

12А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

6мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

100А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR12MG Тиристор 600В 12А 20мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

20мА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

2.2В

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

12А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

40мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

100А при 60Гц

Тип тиристора:

стандартный

Сообщить о поступлении

MCR16NG Тиристор 800В 16А 20мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение закрытого состояния:

800В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

20мА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.7В

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

16А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

40мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

160А при 60Гц

Тип тиристора:

стандартный

Сообщить о поступлении

MCR25NG Тиристор 800В 25А 30мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение закрытого состояния:

800В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

30мА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.8В

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

25А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

40мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

300А при 60Гц

Тип тиристора:

стандартный

Сообщить о поступлении

MCR718T4 Тиристор 600В 4А 75мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Сообщить о поступлении

MCR72-8G Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1.5В

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

2В

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

8А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

6мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

100А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR8DCMT4G Тиристор 600В 8А 15мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

15мА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.8В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

5.1А

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

8А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

30мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

80А при 60Гц

Тип тиристора:

стандартный

Сообщить о поступлении

MCR8DSMT4G Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1В

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.8В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

5.1А

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

8А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

6мА

Ток утечки (макс.):

10мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

90А при 60Гц

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении