Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (59)

NST3906DP6T5G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

NST3906DXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

NST3946DP6T5G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

NST3946DXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

NST45010MW6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Сообщить о поступлении

NST45011MW6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

NST847BDP6T5G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

NST847BPDP6T5G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

SBC846BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

SBC846BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

SBC846BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

SBC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

SBC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

SBC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Сообщить о поступлении

SBC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Сообщить о поступлении

SMBT3904DW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

SMBT3946DW1T1G TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88 Производитель: ON Semiconductor Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 100 @ 10mA, 1V

Сообщить о поступлении

SMUN5111DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 385 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 35

Сообщить о поступлении

UMZ1NT1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении