Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

38
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (38)
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
160V, 150V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 4,08
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
160V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80 @ 10mA, 5V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
17 209 шт
Цена от:
от 3,42
MMDTA42-7-F MMDTA42-7-F TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
300V
Ток коллектора Макс.:
500mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
40 @ 30mA, 10V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 8,64
ZXTC2045E6TA ZXTC2045E6TA Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 18,06
ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20V
Ток коллектора Макс.:
4A, 3.5A
Мощность Макс.:
1.1W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 003 шт
Цена от:
от 18,06
ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
3.5A, 3A
Мощность Макс.:
1.1W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
844 шт
Цена от:
от 36,36
ZXTC6717MCTA ZXTC6717MCTA Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 32,04
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 50V, 1A, SOT-26;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 800 шт
Цена от:
от 27,36
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 19,62
ZXTD618MCTA ZXTD618MCTA Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 19,08
ZXTD718MCTA Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 308 шт
Цена от:
от 28,86
ZXTD720MCTA ZXTD720MCTA TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
8-DFN (3x2)
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
3A
Мощность Макс.:
1.7W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
60 @ 1.5A, 2V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 045 шт
Цена от:
от 28,26
BC847BS-7-F BC847BS-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
619 270 шт
Цена от:
от 1,26
BC847PN-7-F BC847PN-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
MMDT3904V-7 MMDT3904V-7 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 10mA, 1V
MMDT4124-7-F MMDT4124-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 25 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120
MMDT4126-7-F MMDT4126-7-F TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
25V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 2mA, 1V
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 15 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
15 В, 12 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А, 1.25 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
250
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице: