Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

₃₈

Производитель: Diodes Incorporated

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (38)

MMDT3906VC-7 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

MMDT3946FL3-7 Bipolar transistors - BJT General Purpose Transistor

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

MMDT4124-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 25 В, 0.2 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

25 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

200 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

120

Сообщить о поступлении

MMDT4126-7-F TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 PNP (Dual)

Напряжение КЭ Макс.:

25V

Ток коллектора Макс.:

200mA

Мощность Макс.:

200mW

Коэффициент усиления hFE Мин.:

120 @ 2mA, 1V

Сообщить о поступлении

MMDT4413-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

200 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

100

Сообщить о поступлении

MMDT5401-7-F TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Сообщить о поступлении

MMDT5451-7-F TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

NPN, PNP

Напряжение КЭ Макс.:

160V, 150V

Ток коллектора Макс.:

200mA

Мощность Макс.:

200mW

Коэффициент усиления hFE Мин.:

80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V

Сообщить о поступлении

MMDT5551-7-F TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 NPN (Dual)

Напряжение КЭ Макс.:

160V

Ток коллектора Макс.:

200mA

Мощность Макс.:

200mW

Коэффициент усиления hFE Мин.:

80 @ 10mA, 5V

Сообщить о поступлении

MMDTA42-7-F TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Тип транзисторной сборки:

2 NPN (Dual)

Напряжение КЭ Макс.:

300V

Ток коллектора Макс.:

500mA

Мощность Макс.:

300mW

Коэффициент усиления hFE Мин.:

40 @ 30mA, 10V

Сообщить о поступлении

ZXTC2045E6TA Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXTC2062E6TA TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Тип транзисторной сборки:

NPN, PNP

Напряжение КЭ Макс.:

20V

Ток коллектора Макс.:

4A, 3.5A

Мощность Макс.:

1.1W

Коэффициент усиления hFE Мин.:

280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V

Сообщить о поступлении

ZXTC2063E6TA NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Тип транзисторной сборки:

NPN, PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Ток коллектора Макс.:

3.5A, 3A

Мощность Макс.:

1.1W

Коэффициент усиления hFE Мин.:

300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V

Сообщить о поступлении

ZXTC6717MCTA Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXTD09N50DE6TA BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 50V, 1A, SOT-26;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXTD4591E6TA TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Сообщить о поступлении

ZXTD618MCTA Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXTD6717E6TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 15 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

15 В, 12 В

Ток коллектора Макс.:

1.5 А, 1.25 А

Мощность Макс.:

1.1 Вт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

250

Сообщить о поступлении

ZXTD718MCTA Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении