Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение колл.-эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (29)
MMDT5451-7-F TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 160V, 150V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
MMDT5551-7-F TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 80 @ 10mA, 5V
MMDTA42-7-F TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 40 @ 30mA, 10V
ZDT6790TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 2А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SM8 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В, 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2.75 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 400
ZXTC2062E6TA TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 4A, 3.5A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE Мин.: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
ZXTC2063E6TA NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 3.5A, 3A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE Мин.: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
ZXTD4591E6TA TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE Мин.: 100 @ 500mA, 5V
ZXTD6717E6TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 15 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 15 В, 12 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А, 1.25 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 250
ZXTD720MCTA TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 8-DFN (3x2) Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.7W Коэффициент усиления hFE Мин.: 60 @ 1.5A, 2V
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице: