Сборки биполярных транзисторов NEXPERIA

79
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (79)
BCM857DS,135 BCM857DS,135 Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
PBSM5240PFH,115 PBSM5240PFH,115 MOS Transistor 40V 2A PNP Trans N-chan Trench MOS Transistor
Производитель:
NEXPERIA
PBSS4021SN,115 PBSS4021SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 20 В, 7.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
7.5 А
Мощность Макс.:
2.3 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
250
PBSS4021SP,115 PBSS4021SP,115 Биполярный транзистор PNP/PNP, 20 В, 6.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
6.3 А
Мощность Макс.:
2.3 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
150
PBSS4032SN,115 PBSS4032SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 5.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
8-SO
PBSS4032SPN,115 PBSS4032SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 5.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
5.7 А, 4.8 А
Мощность Макс.:
2.3 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
250
PBSS4041SN,115 PBSS4041SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 60 В, 6.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6.7 А
Мощность Макс.:
2.3 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
150
PBSS4041SPN,115 PBSS4041SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 60 В, 6.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6.7 А, 5.9 А
Мощность Макс.:
2.3 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
150
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Bipolar transistors - BJT 30V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Производитель:
NEXPERIA
PBSS4240DPN,115 PBSS4240DPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
1.35 А, 1.1 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
300
PBSS4260PANSX PBSS4260PANSX TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзисторной сборки:
2NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
PBSS4350SPN,115 PBSS4350SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 2.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2.7 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
300
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 50 В, 2.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2.7 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
300
PEMT1,115 PEMT1,115 TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
100mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 1mA, 6V
PEMT1,315 PEMT1,315 TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
100mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 1mA, 6V
PEMX1,115 PEMX1,115 TRANS 2NPN 40V 0.1A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
100mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 1mA, 6V
PEMX1,315 PEMX1,315 TRANS 2NPN 40V 0.1A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
100mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 1mA, 6V
PEMZ1,115 PEMZ1,115 TRANS NPN/PNP 40V 0.1A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
PEMZ7,315 PEMZ7,315 TRANS NPN/PNP 12V 0.5A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
500mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200 @ 10mA, 2V
PHPT610030PKX Транзистор общего применения биполярный PNP 100В 3A 8-Pin LFPAK-D лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
На странице: