Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

72
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (72)
BC847S BC847S Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
BC848CDW1T1G BC848CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
420
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, -65 В, -0.1 А, 0.38Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
420
CPH5506-TL-E CPH5506-TL-E Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-CPH
FFB5551 FFB5551 Биполярный транзистор NPN/NPN, 160 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80
FMB2222A FMB2222A Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB2907A FMB2907A Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB3904 FMB3904 Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB3906 FMB3906 Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB5551 FMB5551 Биполярный транзистор NPN/NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80
FMBM5551 FMBM5551 TRANS, DUAL NPN, 160V, 0.6A, SUPERSOT; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case Style:Super
Производитель:
ON Semiconductor
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-74
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN
Производитель:
ON Semiconductor
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G TRANSISTOR ARRAY, AUTO, DUAL NPN, 45V; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:500hFE; Transistor Case Style:SC-88
Производитель:
ON Semiconductor
MC1413DG MC1413DG Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
MCH6203-TL-E MCH6203-TL-E Bipolar transistors - BJT BIP NPN 1A 50V
Производитель:
ON Semiconductor
MMPQ2222A MMPQ2222A Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
На странице: