Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

72
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (72)
SBC856BDW1T1G SBC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
10 000 шт
Цена от:
от 8,10
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 9,36
SMBT3904DW1T1G SMBT3904DW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 59,40
SMBT3906DW1T1G SMBT3906DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 4,20
SMUN5111DW1T1G SMUN5111DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
385 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
35
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 3,96
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 4,68
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 348 шт
Цена от:
от 3,00
Акция
BC847BS BC847BS Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
210 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
619 270 шт
Цена от:
от 1,26
BC847S BC847S Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
420
CPH5506-TL-E CPH5506-TL-E Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-CPH
FFB5551 FFB5551 Биполярный транзистор NPN/NPN, 160 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80
FMB2222A FMB2222A Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB2907A FMB2907A Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB3904 FMB3904 Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
FMB5551 FMB5551 Биполярный транзистор NPN/NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MC1413DG MC1413DG Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
MMPQ2222A MMPQ2222A Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
На странице: