Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

72
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (72)
MMPQ2907A MMPQ2907A Массив биполярных транзисторов, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MMPQ3904 MMPQ3904 Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
75
MMPQ6700 MMPQ6700 Биполярный транзистор 2NPN/2PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
2 NPN/2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
70
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
7 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Коэффициент усиления hFE Мин.:
1000
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
653 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
180
NST3904DP6T5G NST3904DP6T5G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3904F3T5G NST3904F3T5G Bipolar transistors - BJT SNGL NPN GP TRANS
Производитель:
ON Semiconductor
NST3904MX2T5G 165mW NPN 200mA 40V X2DFN-3(0.6x1) Single Bipolar Transistors RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
NST3906DP6T5G NST3906DP6T5G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3906DXV6T1G NST3906DXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3946DXV6T1G NST3946DXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST45010MW6T1G NST45010MW6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
NST45011MW6T1G NST45011MW6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
NST847BDP6T5G NST847BDP6T5G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
NST847BPDP6T5G NST847BPDP6T5G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
NSV40302PDR2G NSV40302PDR2G BIPOLAR ARRAYS TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 015 шт
Цена от:
от 3,69
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 015 шт
Цена от:
от 3,69
SBC847BDW1T1G SBC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
На странице: