Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

72
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (72)
SBC847BDW1T3G SBC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
SBC847BPDXV6T1G SBC847BPDXV6T1G DUAL NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SBC847CDW1T1G SBC847CDW1T1G Bipolar transistors - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
Производитель:
ON Semiconductor
SBC847CDXV6T1G SBC847CDXV6T1G Биполярный транзистор сборка 2 NPN 45В 0.1A SOT-563
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
SBC856BDW1T1G SBC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
SBC857CDW1T1G SBC857CDW1T1G DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMBT3904DW1T1G SMBT3904DW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
SMBT3906DW1T1G SMBT3906DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
150mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 10mA, 1V
SMUN5111DW1T1G SMUN5111DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
385 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
35
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
На странице: