Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

72
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (72)
MMPQ2907A MMPQ2907A Массив биполярных транзисторов, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MMPQ3904 MMPQ3904 Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
4 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
75
MMPQ6700 MMPQ6700 Биполярный транзистор 2NPN/2PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC16
Тип транзисторной сборки:
2 NPN/2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
70
NST3906DP6T5G NST3906DP6T5G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3906DXV6T1G NST3906DXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST3946DXV6T1G NST3946DXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
NST45011MW6T1G NST45011MW6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
SBC847BDW1T1G SBC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
SBC847BDW1T3G SBC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
SBC857CDW1T1G SBC857CDW1T1G DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
150mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 10mA, 1V
На странице: